局部放电现象哪些？局放类型及过程是怎样的？

局部放电类型

    局部放电是发生在绝缘部分桥接的电气放电现象，其脉冲持续时间小于1μs。电晕是局部放电的一种形式，发生在远离固体或液体绝缘的导体周围气体介质中。局部放电常发生在固体或浸渍绝缘的气体孔隙中，或由尖锐突出物引起的场强增大而产生。当局部场强超过起始电压界限且存在活化电子时，会发生电子崩，但因局部放电而停止。此过程短暂，但高电子能量会影响附近绝缘材料，导致化学键中断、化学性质改变及材料烧蚀。

    实际测量的并非局部放电本身，而是放电产生的电荷或波传播至检测器的信号。在高频范围，更常采用偶极子和波激励的概念。局部放电连续发生时，会损害绝缘的介电性能，是绝缘老化的主要原因。因此，检测和表示绝缘中的局部放电活动是评估绝缘状态的关键要求。尽管老化过程涉及多种因素，但局部放电是导致绝缘缺陷和性能下降的主要原因，必须重视其监测与控制。

局部放电过程

    局放过程是放电的发展效应，它伴随着每次放电现象，这些效应（例如电流波形）取决于材料和电场分布，并为表示局放的特性提供了一些手段。

    局放过程在高压电气绝缘设备中呈现多样性，这源于绝缘材料的广泛性和绝缘系统中空隙或界面的几何差异。放电主要在气相中发生，可能出现在气体绝缘的开放体积、固体绝缘的气体孔隙或液体绝缘的气泡中。尽管放电主要被视为气体放电，但固体和液体中也可能发生电子崩，进而形成蒸汽或等离子体，促成再次放电。

    气体放电类型多样，如辉光放电、流注等，其发生取决于电场、电场分布、气体类型及周围材料表面情况，这些决定了电流脉冲的形状。传统局放检测系统因频率限制无法采集真实电流脉冲波形，无法提供详细局放“指纹图”。但现代化高频传感器如天线、电流变换器或罗高夫斯基线圈可描述信号高频分量，采集更详细的局放波形特性。这些技术的发展有助于更准确地理解和分析局放过程。

局部放电现象的研究

    缺陷导致的绝缘老化缺陷引起的绝缘老化可能有一个迹象，就是在高压绝缘中存在局部放电活动。进一步的老化可能由放电产物的成分与缺陷周围绝缘材料的相互作用而引起。局放现象可能是的（由设计或加工过程引起），或者可能随设备的运行而发展（例如由高温、电和机械的过应力引起）。

    局部放电时，电子的能量或温度可能达到10-20eV（电离能量），与化学键的类型有关，能量超过5eV时聚合物的化学键可被破坏，高能电子与固体绝缘材料相互作用可能引起固体/液体周围大分子化学键的破坏。这种变化可能是由于受放电影响，固体绝缘材料壁简单剥落或者腐蚀，也可能是固体绝缘的化学结构和性质发生了变化（例如碳化），放电点是封闭的，所以这种损害的整体效应后可能导致绝缘的毁灭性故障。

    绝缘老化过程中局部放电的整体效应有时可能是局放量和重复率增大，也可能是有关放电参数例如相位产生实质性变化。如果具有一些可用的关于类似结构和材料中放电影响的恰当知识，放电的这些性质变化就可用来建立评定绝缘状态的方法。

    局放是非常有害的，局放中的高电子能和来自裂解分子的侵袭性化学副产物，都可能引起绝缘性损坏。在固体中出现局部腐蚀和通道成长（即可能产生电树枝）。在浸渍绝缘系统中形成酸和溶解气体，固体可能随时间消耗殆尽。然而，一些气体绝缘系统中，值得注意的是空气，电离和局放（电晕）相结合，在一般情况下没有任何长期性影响，因为气体随时间而进行交换，空气绝缘可认为是自恢复的。在SF6情况下，情况不是如此简单，SF6气体可能有性质变，特别是有水分等杂质存在时更是如此，这时可形成氟酸。如果放电发生在绝缘子界面，也可发生安全事故。